アブストラクト：
高エネルギー・原子核およびその関連分野の測定器に関しても、その性能は使用 されている半導体デバイス（LSI）の性能で決まっている。また、LSIは信号処理 をする回路ばかりではなく、センシングデバイスそのものとしても用いられている。 本講演においては、LSI製造方法について標準となるロジックプロセスを基に平易に 且つ詳細に解説する。さらに、各プロセスステップでどのように工程が管理されて いるかを紹介していく。これらLSI製造に関する基礎知識により、回路設計という 観点ばかりでなく、LSIデバイスそのものにも踏み込む今後の測定器開発の一助 になることを期待する。

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講師紹介：
倉知氏はOKIセミコンダクタ社及び台湾のPowerchip Technology社において30 年以上に渡り半導体プロセスの専門家として現場で活躍されて来た方です。OKI セミコンダクタ時代には、KEKとの共同研究でSilicon-On-Insulator(SOI)技術を 用いたピクセル検出器の開発にも協力していただきました。 本年３月からは、KEKの特別教授として赴任していただき、SOI検出器及び超伝 導検出器等のプロセス改良、特に放射線耐性の強化やリーク電流の低減等に関 し、専門家の目で検証していただいています。また、厳しい半導体ビジネスでの 経験を活かし、各種応用や実用化に向けた活動にも意欲を持っておられます。
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担　　当：新井（yasuo.arai_at_post.kek.jp）