SOI: Ultimate detector by SOI technology

2016年度活動報告

 [Book]

1. “Analog Electronics for Radiation Detection (Devices,Circuits, and Systems)”, Editor Renato Turchetta, ISBN-10: 1498703569, ISBN-13: 978-1498703567, CRC Press; 1版 (2016/4/26), 306ページ
2. “Radiation Imaging Detectors Using Soi Technology”, Y. Arai and I. Kurachi, Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies, Morgan & Claypool Publisher (2017/2/15), ISBN-13: 978-1627056960.71 pages

論文発表

1. Tradeoff Between Low-Power Operation and Radiation Hardness of Fully Depleted SOI pMOSFET by Changing LDD Conditions, Ikuo Kurachi, Kazuo Kobayashi, Marie Mochizuki, Masao Okihara, Hiroki Kasai, Takaki Hatsui, Kazuhiko Hara,Toshinobu Miyoshi, and Yasuo Arai. IEEE Trans. on Elec. Devices, Digital Object Identifier 10.1109/TED.2016.2552486.
2. Characteristicsofnon-irradiatedandirradiateddoubleSOIintegration type pixelsensor, M. Asano, D.Sekigawa, K.Hara, W.Aoyagi, S.Honda, N.Tobita, Y.Arai, T.Miyoshi, I.Kurachi, T.Tsuboyama, M.Yamada. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2016), 10th International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking detectors (HSTD10), Sep. 25 – 29, 2015, Xi'an China, http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.03.095.
3. Development of an X-ray Imaging system with SOI Pixel Detectors, Ryutaro NISHIMURA, Yasuo ARAI, Toshinobu MIYOSHI, Keiichi HIRANO, Shunji KISHIMOTO, Ryo HASHIMOTO. 10th International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking detectors (HSTD10), Sep. 25 – 29, 2015, Xi'an China, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2016), http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.036.
4. First results of a Double-SOI pixel chip for X-ray imaging Yunpeng Lu a,n, Qun Ouyang a, Yasuo Arai b, Yi Liu a, Zhigang Wu a, Yang Zhou, 10th International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking detectors (HSTD10), Sep. 25 – 29, 2015, Xi'an China, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2016), http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.022.
5. The first back-side illuminated types of Kyoto's X-ray astronomy SOIPIX, Makoto Itou, Takeshi Go Tsuru, Takaaki Tanaka, Ayaki Takeda, Hideaki Matsumura, Shunichi Ohmura, Hiroyuki Uchida, Shinya Nakashima, Yasuo Arai, Ikuo Kurachi, Koji Mori, Ryota Takenaka, Yusuke Nishioka, Takayoshi Kohmura, Koki Tamasawa, Craig Tindall. 10th International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking detectors (HSTD10), Sep. 25 – 29, 2015, Xi'an China, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2016), http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.012.
6. Reduction of cross-talks between circuit and sensor layer in the Kyoto's X-ray astronomy SOI pixelsensors with Double-SOI wafer, Shunichi Ohmura, Takeshi Go Tsuru, Takaaki Tanaka, Hiroyuki Uchida, Ayaki Takeda, Hideaki Matsumura, Makoto Ito, Yasuo Arai, Ikuo Kurachi, Toshinobu Miyoshi, Shinya Nakashima, Koji Mori, Yusuke Nishioka, Nobuaki Takebayashi, Koki Noda, Takayoshi Kohmura, Kouki Tamasawa, Yusuke Ozawa, Tadashi Sato, Takahiro Konno, Shoji Kawahito, Keiichiro Kagawa, Keita Yasutomi, Hiroki Kamehama, Sumeet Shrestha, Kazuhiko Hara, Shunsuke Honda. 10th International Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking detectors (HSTD10), Sep. 25 – 29, 2015, Xi'an China, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2016), http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.024.
7. Compensation for radiation damage for SOI pixel detector via tunneling, M. Yamada, Y. Arai, Y. Fujita, R. Hamasaki, Y. Ikegami, I. Kurachi, R. Nishimura, K. Tauchi and T. Tsuboyama,proceedings of HSTD10, a special issue of Nucl. Instrum. Meth. A.
8. Super steep subthreshold slope PN-body tied SOI FET with ultra low drain voltage down to 0.1V, Jiro Ida, Takayuki Mori, Yousuke Kuramoto, Takashi Horii, Takahiro Yoshida, Kazuma Takeda, Hiroki Kasai, Masao Okihara, Yasuo Arai. 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Page 22.7.1 - 22.7.4,  DOI: 10.1109/IEDM.2015.7409761.
9. Development of Pixelated Linear Avalanche Integration Detector using Silicon on Insulator Technology, Akihiro Koyama, Kenji Shimazoe, Hiroyuki Takahashi, Ryutaro Hamasaki, Tadashi Orita, Yoshiyuki Onuki, Wataru Otani, Tohru Takeshita, Ikuo Kurachi, Toshinobu Miyoshi, Isamu Nakamura, Yasuo Arai. Proceedings on International symposium on radiation instruments and users (ISRD) 2016. Tsukuba Japan, Jan. 18-21, 2016.
10. Development of SOI Pixel Detectors and their Applications, Yasuo Arai. International symposium on radiation instruments and users (ISRD) 2016. Tsukuba Japan, Jan. 18-21, 2016.
11. Development of a pixel sensor with fine space-time resolution based on SOI technology for the ILC vertex detector, Shun Ono, Manabu Togawa, Ryoji Tsuji, Teppei Mori, Miho Yamada, Yasuo Arai, Toru Tsuboyama, Kazunori Hanagaki, 14th The Vienna Conference on Instrumentation (VCI2016), Feb. 15-19, 2016, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A, March 17, 2016.
12. Development of an Event-driven SOI Pixel Detector for X-ray Astronomy, - Improvement of an Intra-chip Readout Circuit for Low Noise Performance -, Ayaki Takeda, T.G.Tsuru, T.Tanaka, H.Matsumura, M.Itou, S.Ohmura, Y.Arai, K.Mori, Y.Nishioka, R.Takenaka, T.Kohmura, K.Tamasawa, S.Nakashima, S.Kawahito, K.Kagawa, H.Kamehara, S.Shrestha. 14th The Vienna Conference on Instrumentation (VCI2016), Feb. 15-19, 2016.
13. Development for Germanium Blocked Impurity Band Far-Infrared Image Sensors with Fully-Depleted Silicon-On-Insulator CMOS Readout Integrated Circuit, T. Wada, Y. Arai, S. Baba, M. Hanaoka, Y. Hattori, H. Ikeda, H. Kaneda, C. Kochi, A. Miyachi, K. Nagase, H. Nakaya, M. Ohno, S. Oyabu, T. Suzuki, S. Ukai, K.Watanabe, K. Yamamoto. J Low Temp Phys, DOI 10.1007/s10909-016-1522-z.
14. A Demonstration of TIA Using FD-SOI CMOS OPAMP for Far-Infrared Astronomy, Koichi Nagase, Takehiko Wada, Hirokazu Ikeda, Yasuo Arai,  Morifumi Ohno, Misaki Hanaoka, Hidehiro Kanada, Shinki Oyabu, Yasuki Hattori, Sota Ukai, Toyoaki Suzuki, Kentaroh Watanabe, Shunsuke Baba, Chihiro Kochi, Keita Yamamoto. J Low Temp Phys, DOI 10.1007/s10909-016-1551-7
15. Confirmation of SS=35μV/dec over 3 Decades of Drain Current and Hole Accumulation Effect on PN-Body Tied SOI Super Steep SS FET’s, Takashi Horii, Jiro Ida, Takahiro Yoshida, Masao Okihara and Yasuo Arai. IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2016, June 12-13, 2016, Honolulu, USA.
16. ‘Analytical Model of Effective Gate Length Modulation by X-ray Irradiation for FD-SOI n-MOSFET’, Ikuo Kurachi, Kazuo Kobayashi, Masao Okihara, Hiroki Kasai, Takaki Hatsui, Kazuhiko Hara, Toshinobu Miyoshi, and Yasuo Arai, RD-20161115-02 Nov. 16, 2016. 落選。
17. "Tradeoff Between Low-Power Operation and Radiation Hardness of Fully Depleted SOI pMOSFET by Changing LDD Conditions", Ikuo Kurachi, Kazuo Kobayashi, Marie Mochizuki, Masao Okihara, Hiroki Kasai,Takaki Hatsui, Kazuhiko Hara, Toshinobu Miyoshi, and Yasuo Arai, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 63, No. 6, pp. 2293-2298, June 2016.
18. “Evaluation of a pulse counting type SOI pixel using synchrotron radiation”, R. Hashimoto, Y. Arai, N. Igarashi, R. Kumai, Y. Lu, T. Miyoshi, R. Nishimura, Q. Ouyang, Y. Zhou and S. Kishimoto, on behalf of SOIPIX collaboration,JINST 12(2017) C03061; doi.org/10.1088/1748-0221/12/03/C03061
19. “Test results of a counting type SOI device for a new X-ray area detector”,R. Hashimoto, Y. Arai, N. Igarashi, R. Kumai, T. Miyoshi and S. Kishimoto, AIP Conference Proceedings 1741 (2016) 040031; doi: 10.1063/1.4952903
20. “Synchrotron beam test of a photon counting pixel prototype based on Double-SOI technology”,Y. Zhou, Y. Lu, R. Hashimoto, R. Nishimura, S. Kishimoto, Y. Arai and Q. Ouyang, JINST 12(2017) C01037; doi.org/10.1088/1748-0221/12/01/C01037
21. Characteristics of non-irradiated and irradiated double SOI integration type pixel sensor, M. Asano　et al., Nuclear Instruments and Methods A831, 21 September 2016, Pages 315-321
22. “Development of electron-tracking Compton imaging system with 30-μm SOI pixel sensor.”, Yoshihara, Y., Shimazoe, K., Mizumachi, Y., Takahashi, H., Kamada, K., Takeda, A., Tsuru, T. and Arai, Y., 2017. Journal of Instrumentation, 12(01), p.C01045.
23. “ Development of Pixelated Linear Avalanche Integration Detector Using Silicon on Insulator Technology”, Koyama, A., Shimazoe, K., Takahashi, H., Hamasaki, R., Orita, T., Onuki, Y., & Nakamura, I. (2016). In Proceedings of International Symposium on Radiation Detectors and Their Uses (ISRD2016) (p. 030006).
24. Mori et al. "A broadband x-ray imaging spectroscopy with high-angular resolution:the FORCE mission", 2016, Proceedings of the SPIE, Volume 9905, id. 99051O 10 pp.
25.  “ SOI Monolithic Pixel Detector Technology”, Y. Arai, The 25th International workshop on vertex detectors, September 26-30, 2016, La Biodola, Isola d’Elba, ITALY, PoS(Vertex 2016)029.
26. Takashi Horii, Jiro Ida, Takahiro Yoshida, Masao Okihara　and Yasuo Arai, “Confirmation of SS=35μV/dec over 3 Decades of Drain Current and Hole Accumulation Effect on PN-Body Tied SOI Super Steep SS FET’s”, 9.2, pp148-149, 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (IEEE SNW), 2016
27. 吉田 貴大,井田 次郎,堀井 隆史,沖原 将生,新井 康夫, “ボディ電圧１V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET” pp117-121, 信学技報SDM, 2016
28. Takahiro Yoshida, Jiro Ida, Takashi Horii, Masao Okihara and Yasuo Arai、“Super Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET’s of Ultra Low Drain Voltage=0.1V with Body Bias below 1.0V”, 6a.4 pp1-3, 2016 SOI-3D-Subtreshold Microelectronics Unified Conference (IEEE S3S CONFERENCE), 2016

特許

1. 「半導体装置及び半導体装置の製造方法」、特願2012-504502(2011.3/9), 特許5721147号(2015.4.3登録)、PCT/JP2011/055546(2011.3.9), US13/583,409 (02/21/2013、許可2014.10.7、特許証2015.2.24)、 334PCT-US(2011/3/9) OK-F03340-01, 2015.2.17許可、'Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device' US8,963,246, B2 (Feb. 24, 2015), 中国許可 application No. 201180012891.7, 2015062900081170. (2015.10.14)
2. 「半導体装置およびその製造方法」特願2013-79859 (2013.4.5)、特開2014-204009(2014.10.27) (DSOIガード)、葛西大樹、新井康夫(396JP)、特許番号　第6108451（2017.3.17）
3. RADIATION-DAMAGE-COMPENSATION-CIRCUIT AND SOI-MOSFET, 特願2015-199200 (2015.10.7),         　PCT/JP2016/079797 (2016.10.6), 倉知郁生、新井康夫、山田美帆、高エネルギー加速器研究機構

学会・会議発表

1. 2016年天文学会秋季年会、東京理科大学,玉澤晃希。SOI技術を用いた新型X線撮像分光器の開発18:サブピクセルレベルでのX線性能評価、受付番号　   V3-0592-b
2. 2016年天文学会秋季年会、京都大、西岡祐介、SOI技術を用いた新型X線撮像分光器の開発15：X線TID効果の測定、受付番号：V3-0434-b
3. 2016年天文学会秋季年会、SOI 技術を用いた新型X線撮像分光器の開発17:Double-SOI 構造のP 型基板センサーの性能評価,伊藤真音,
4. 2016年天文学会秋季年会、SOI 技術を用いた新型X線撮像分光器の開発19:これまでの到達点と今後の開発,鶴剛
5. 日本物理学会秋季大会、宮崎大学、2016年9月21－24日、「SOI技術を用いた極低温可視光センサーの開発1」、樹林敦子、
6. 日本物理学会　2016年秋季大会　金沢大学角間キャンパス, 口頭発表　13p-AQ-7, 「計数型SOI TEGの放射光X線による評価 (2)」、橋本 亮, 新井 康夫, 五十嵐 教之, 熊井 玲児,　三好 敏喜, 西村 龍太郎, 岸本 俊二,
7. 日本物理学会　2016年秋季大会　金沢大学角間キャンパス、口頭発表　13p-AQ-6、「SOI ピクセルディテクタを用いた放射光用X線計測システムの現況について」、西村 龍太郎, 新井 康夫, 三好 敏喜, 平野　馨一, 岸本 俊二, 橋本 亮, 他SOIPIXグループ
8. 第30回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム、口頭発表　3F005、2017年1月8日　神戸芸術センター、「SOI 二次元検出器 SOPHIAS によるブロック共重合体の小角散乱実験」、橋本 亮, 岸本 俊二, 熊井 玲児, 五十嵐 教之, 高木 秀彰, 工藤 統吾, 初井 宇記
9. 日本物理学会　第72回年次大会（2017年）　大阪大学豊中キャンパス、口頭発表　17aC43-3、「計数型SOI TEGの放射光X線による評価 (3)」、橋本 亮, 新井 康夫, 五十嵐 教之, 熊井 玲児,　三好 敏喜, 西村 龍太郎, 岸本 俊二,　
10. 日本物理学会　第72回年次大会（2017年）　大阪大学豊中キャンパス、口頭発表　17aC43-4、「ピクセル検出器評価用金製3μm径ピンホールX線ビーム」、岸本 俊二
11. 日本物理学会　第72回年次大会（2017年）　大阪大学豊中キャンパス、口頭発表, 17aC43-2、「SOI ピクセルディテクタ用新型DAQシステムの開発現況について」、西村 龍太郎, 新井 康夫, 三好 敏喜, 平野　馨一, 岸本 俊二, 橋本 亮
12. 細野 凌, 佐野 壱成, 川端 智樹, 林田 清, 土岐 貴弘, 細井 卓治, 渡部 平司, 志村 考功, "振幅格子とピクセル検出器を用いたエネルギー分解X線位相イメージングの検討," 2016年秋季 第77回応用物理学関係連合講演会予稿集, 13p-C31-9, (朱鷺メッセ, 新潟県新潟市), September 13-16, 2016).
13. 細野 凌, 佐野 壱成, 川端 智樹, 林田 清, 工藤 統吾, 尾崎 恭介, 初井 宇記, 細井 卓治, 渡部 平司, 志村 考功, "マイクロフォーカスＸ線源と振幅格子を用いたＸ線位相イメージング-振幅格子の投影像の短周期化の検討-," 2017年春季 第64回応用物理学関係連合講演会予稿集, 15p-318-3, (パシフィコ横浜), March 14-17, 2017).
14. 武田 和馬，井田 次郎, 林 拓郎，細野 竜太郎, 新井康夫, “CP 法による SOI 裏面界面準位密度の評価”, 第64回応物春期予稿集, パシフィコ横浜、16a-412-9, 2017年3月16日

修士論文

1. 宮崎大学大学院応用物理学専攻 竹中亮太 修士論文、「Ｘ線 SOI-CMOS 素子のＸ線TID効果の測定」
2. 「サブミクロンスケールの位置分解能を持つ高精細SOIピクセル検出器の開発研究」、関川大介、筑波大学大学院、物理学専攻修論、2017年2月
3. 「MGy放射線耐性を持つ2 層埋込酸化膜構造SOI ピクセル検出器の開発研究」、青柳　航筑波大学大学院、物理学専攻修論、2017年2月
4. " Basic research on SOI pixel detectors with internal gain based on avalanche multiplication", Bipin Subedi, Master’s Program in Physics, Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ/ of Tsukuba, 2017年2月
5. 「ILCに向けたピクセルセンサー:SOFISTの動作試験」、大阪大学理学研究科物理学専攻、山中卓研究室修士2 年、森哲平、2017年2月

研究会

1. 新学術研究領域研究「３次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開」第６回研究会、北海道大学、2016年6月２８〜29日。
2. 新学術研究領域研究「３次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開」第７回研究会、SPring-8、2016年11月21〜２２日。
3. 第１回 「3次元積層半導体量子イメージセンサ研究会」,2017年1月30日つくば国際会議場

2015年度活動報告

論文発表
1） X-ray imaging detectors for synchrotron and XFEL sources, Takaki Hatsuia and Heinz Graafsm, IUCrJ(2015)2, doi:10.1107/S205225251500010X.
2） 3D integration technology for sensor application using less than 5um-pitch gold cone-bump connection, M. Motoyoshi,T. Miyoshi,M. Ikebe and Y. Arai, J. of Instrumentation, Jinst 10 C03004 (2015), http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/10/03/C03004, PIXEL 2014 INTERNATIONAL WORKSHOP, SEPTEMBER 1–5, 2014, NIAGARA FALLS, CANADA
3） Characterization of high resolution CMOS monolithic active pixel detector in SOI technology, M.I. Ahmed, Y. Arai, S. Glab, M. Idzik, P. Kapusta, T. Miyoshi, A. Takeda and M. Turala, 2015 JINST 10 P05010, doi:10.1088/1748-0221/10/05/P05010
4） A low-noise wide-dynamic-range event-driven detector using SOI pixel technology for high-energy particle imaging, Sumeet Shrestha; Hiroki Kamehama; Shoji Kawahito; Keita Yasutomi; Keiichiro Kagawa; Ayaki Takeda; Takeshi Go Tsuru; Yasuo Arai. Proc. SPIE 9593, Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XVII, 95930X (26 August 2015); Published: 26 August 2015, doi: 10.1117/12.2188019.
5） Analysis of Effective Gate Length Modulation by X-Ray Irradiation for Fully Depleted SOI p-MOSFETs, Ikuo Kurachi, Kazuo Kobayashi, Masao Okihara, Member, IEEE, Hiroki Kasai, Takaki Hatsui, Kazuhiko Hara, Toshinobu Miyoshi, and Yasuo Arai. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 62, NO. 8, AUGUST 2015. Digital Object Identifier 10.1109/TED.2015.2443797.
6） “Fully Depleted SOI Pixel Photo Detectors with Backgate Surface Potential Pinnning”, H. Kamehama, S. Shrestha, K. Yasutomi, K. Kagawa, A. Takeda, T-G. Tsuru, Y. Arai, S. Kawahito, 2015 International Image Sensor Workshop (IISW 2015), 3.05, pp.66-69, Vaals, The Netherlands, 2015.6.8.
7） Development of Superconducting Tunnel Junction detectors as a far-infrared photon-by-photon spectrometer for neutrino decay search, Yuji Takeuchi, Shin-Hong Kim, Kenichi Takemasa, Kenji Kiuchi, Kazuki Nagata, Kota Kasahara, Takuya Okudaira, Tatsuya Ichimura, Masahiro Kanamaru, Kouya Moriuchi, Ren Senzaki, Shunsuke Yagi, Hirokazu Ikeda, Shuji Matsuura, Takehiko Wada, Takuo Yoshida, Shota Komura, Keisuke Orikasa, Ryuta Hirose, Yukihiro Kato, Masashi Hazumi, Yasuo Arai, Shigetomo Shiki, Masahiro Ukibe, Go Fujii, Tetsuya Adachi, Masataka Ohkubo, Erik Ramberg, Jonghee Yoo, Mark Kozlovsky, Paul Rubinov, Dmitri Sergatskov, Hirokazu Ishino, Atsuko Kibayashi, Satoru Mima, Soo-Bong Kim. Proceedings of 2015 IEEE International Instrumentation and Measurement Technology Conference (I2MTC), Page 551-555, DOI: 10.1109/I2MTC.2015.7151327
8） Improving charge-collection efficiency of SOI pixel sensors for X-ray astronomy, Hideaki Matsumura, Takeshi Go Tsuru, Takaaki Tanaka, Ayaki Takeda, Yasuo Arai, Koji Mori, Yusuke Nishioka, RyotaTakenaka, Takayoshi Kohmura,Shinya Nakashima, Takaki Hatsui, YoshikiKohmura, DaiTakei, Takashi Kameshima, NIMA794(2015)255-259. http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2015.05.008.
9） Improvement of spectroscopic performance using a charge-sensitive amplifier circuit for an X-ray astronomical SOI pixel detector, A. Takeda, T.G. Tsuru, T. Tanaka, H. Uchida, H. Matsumura, Y. Arai, K. Mori, Y. Nishioka, R. Takenaka, T. Kohmura, S. Nakashima, S. Kawahito, K. Kagawa, K. Yasutomi, H. Kamehama and S. Shrestha, PIXEL 2014 INTERNATIONAL WORKSHOP SEPTEMBER 1–5, 2014, NIAGARA FALLS, CANADA, 2015 JINST 10 C06005, doi:10.1088/1748-0221/10/06/C06005.
10）Evaluation of 0.2um SOI Based Super Steep Subthreshold Slope Device for Sensor and Ultra Low Power Applications,  Yosuke KURAMOTO,  Jiro  IDA,  Masazumi KOYAMA,  Keita  KATSUTI  and Yasuo ARAI.  The 6th International  Conference on Integrated Circuits, Design,  and Verification (ICDV  2015),  August  10  - 11, 2015  – Ho  Chi  Minh city,  Vietnam (http://www.uet.vnu.edu.vn/icdv)  .
11）Advanced monolithic  pixel  sensors  using SOI technology,  Toshinobu Miyoshi,  Yasuo Arai,
Mari Asano,  Yowichi  Fujita,  Ryutaro Hamasaki,  Kazuhiko Hara,  Shunsuke Honda,  Yoichi
Ikegami,  Ikuo Kurachi, Shingo Mitsui, Ryutaro Nishimura,  Kazuya Tauchi,  Naoshi Tobita,
Toru Tsuboyama,  Miho Yamada. 13th Pisa  Meeting on Advanced Detectors, 24–30  May 2015 La
Biodola, Isola d’Elba (Italy), Nuclear  Instruments  and Methods  in  Physics  Research
Section  A,  http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2015.11.109.
12）Tradeoff Between Low-Power Operation and Radiation  Hardness of Fully  Depleted SOI pMOSFET
by Changing LDD Conditions, Ikuo Kurachi, Kazuo Kobayashi, Marie Mochizuki, Masao Okihara,
Hiroki Kasai, Takaki Hatsui, Kazuhiko Hara,Toshinobu Miyoshi, and Yasuo Arai. IEEE Trans.
on Elec. Devices,  Digital  Object  Identifier 10.1109/TED.2016.2552486.
13）Characteristicsofnon-irradiatedandirradiateddoubleSOIintegration type pixelsensor, M.
Asano, D.Sekigawa,  K.Hara,  W.Aoyagi,  S.Honda,  N.Tobita, Y.Arai,  T.Miyoshi,  I.Kurachi,
T.Tsuboyama, M.Yamada. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2016), 10th
International Symposium  on the  Development and Application of  Semiconductor  Tracking
detectors (HSTD10), Sep. 25  – 29,  2015,  Xi'an  China,
http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.03.095.
14）Development of an X-ray Imaging system with SOI Pixel Detectors, Ryutaro NISHIMURA, Yasuo
ARAI,  Toshinobu MIYOSHI,  Keiichi  HIRANO,  Shunji  KISHIMOTO,  Ryo HASHIMOTO.  10th
International Symposium  on the  Development and Application of  Semiconductor  Tracking
detectors (HSTD10), Sep. 25  – 29, 2015, Xi'an China,  Nuclear Instruments  and Methods in
Physics  Research  A  (2016),  http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.036.
15）First  results of  a Double-SOI  pixel chip  for  X-ray  imaging Yunpeng Lu a,n, Qun  Ouyang
a, Yasuo Arai  b, Yi Liu a, Zhigang Wu  a, Yang Zhou, 10th International  Symposium on the
Development and Application of Semiconductor Tracking detectors (HSTD10), Sep. 25  – 29,
2015, Xi'an China,  Nuclear  Instruments  and Methods  in  Physics  Research A  (2016),
http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.022.
16）The first back-side  illuminated  types  of  Kyoto's  X-ray  astronomy SOIPIX,  Makoto Itou,
Takeshi  Go  Tsuru, Takaaki  Tanaka,  Ayaki Takeda,  Hideaki  Matsumura,  Shunichi  Ohmura,
Hiroyuki Uchida, Shinya Nakashima, Yasuo Arai, Ikuo Kurachi, Koji  Mori, Ryota Takenaka,
Yusuke Nishioka,  Takayoshi Kohmura,  Koki  Tamasawa,  Craig  Tindall. 10th International
Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking detectors (HSTD10),
Sep.  25  – 29, 2015,  Xi'an  China,  Nuclear Instruments  and Methods in  Physics  Research  A
(2016),  http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.012.
17）Reduction of cross-talks between circuit and sensor layer  in the Kyoto's X-ray astronomy
SOI pixelsensors with Double-SOI wafer,  Shunichi Ohmura, Takeshi Go Tsuru, Takaaki Tanaka,
Hiroyuki Uchida, Ayaki Takeda, Hideaki Matsumura, Makoto Ito, Yasuo Arai, Ikuo Kurachi,
Toshinobu Miyoshi,  Shinya Nakashima, Koji  Mori,  Yusuke Nishioka,  Nobuaki  Takebayashi,
Koki Noda, Takayoshi Kohmura, Kouki Tamasawa, Yusuke Ozawa, Tadashi Sato, Takahiro Konno,
Shoji Kawahito,  Keiichiro  Kagawa,  Keita  Yasutomi,  Hiroki  Kamehama,  Sumeet Shrestha,
Kazuhiko Hara,  Shunsuke Honda. 10th International  Symposium  on the  Development and
Application of Semiconductor Tracking detectors (HSTD10), Sep. 25  – 29, 2015, Xi'an China,
Nuclear  Instruments  and Methods in  Physics  Research  A  (2016),
http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.024.
18）Compensation  for  radiation damage  for  SOI pixel  detector via tunneling, M. Yamada,  Y.
Arai, Y.  Fujita,  R.  Hamasaki,  Y.  Ikegami,  I. Kurachi, R.  Nishimura,  K.  Tauchi and T.
Tsuboyama,proceedings of  HSTD10,  a special issue  of  Nucl.  Instrum.  Meth. A.
19）Super steep  subthreshold  slope  PN-body  tied  SOI FET with ultra  low drain  voltage  down
to  0.1V,  Jiro Ida,  Takayuki Mori,  Yousuke Kuramoto,  Takashi  Horii,  Takahiro  Yoshida,
Kazuma Takeda, Hiroki  Kasai, Masao Okihara, Yasuo Arai. 2015 IEEE International Electron
Devices  Meeting  (IEDM),  Page 22.7.1  - 22.7.4, DOI:  10.1109/IEDM.2015.7409761.
20）Development of Pixelated Linear Avalanche Integration Detector using Silicon on Insulator
Technology,  Akihiro  Koyama,  Kenji  Shimazoe, Hiroyuki  Takahashi,  Ryutaro  Hamasaki,
Tadashi Orita, Yoshiyuki Onuki, Wataru Otani,  Tohru Takeshita,  Ikuo Kurachi,  Toshinobu
Miyoshi,  Isamu Nakamura, Yasuo Arai. Proceedings on International symposium on radiation
instruments and users  (ISRD)  2016.  Tsukuba Japan,  Jan.  18-21,  2016.
21）Development  of  SOI Pixel Detectors  and their Applications, Yasuo Arai.  International
symposium on radiation instruments and users (ISRD) 2016. Tsukuba Japan, Jan. 18-21, 2016.
22）Development of  a pixel  sensor  with  fine  space-time  resolution  based on SOI technology
for the ILC vertex detector, Shun Ono, Manabu Togawa, Ryoji Tsuji, Teppei Mori, Miho Yamada,
Yasuo Arai,  Toru Tsuboyama, Kazunori Hanagaki,  14th The Vienna Conference on
Instrumentation (VCI2016), Feb. 15-19, 2016, Nuclear Instruments and Methods in Physics
Research,  Section  A,  March  17, 2016.
23）Development of an Event-driven SOI Pixel Detector for  X-ray Astronomy, - Improvement of
an Intra-chip  Readout Circuit for  Low  Noise Performance -, Ayaki Takeda,  T.G.Tsuru,
T.Tanaka,  H.Matsumura,  M.Itou, S.Ohmura,  Y.Arai,  K.Mori,  Y.Nishioka,  R.Takenaka,
T.Kohmura, K.Tamasawa, S.Nakashima, S.Kawahito, K.Kagawa, H.Kamehara, S.Shrestha. 14th
The Vienna Conference on Instrumentation (VCI2016),  Feb.  15-19,  2016.
24）Development  for  Germanium  Blocked Impurity  Band Far-Infrared  Image Sensors  with
Fully-Depleted Silicon-On-Insulator CMOS  Readout Integrated Circuit, T.  Wada, Y. Arai,
S. Baba,  M. Hanaoka, Y.  Hattori, H. Ikeda,  H.  Kaneda, C.  Kochi,  A.  Miyachi,  K.  Nagase,
H. Nakaya, M. Ohno,  S. Oyabu, T.  Suzuki,  S. Ukai,  K.Watanabe, K.  Yamamoto. J Low  Temp
Phys,  DOI 10.1007/s10909-016-1522-z.
25）A Demonstration of TIA Using FD-SOI CMOS OPAMP for Far-Infrared Astronomy, Koichi Nagase,
Takehiko Wada, Hirokazu Ikeda, Yasuo Arai,  Morifumi Ohno, Misaki  Hanaoka, Hidehiro
Kanada, Shinki  Oyabu, Yasuki Hattori,  Sota  Ukai,  Toyoaki Suzuki,  Kentaroh  Watanabe,
Shunsuke Baba,  Chihiro  Kochi,  Keita  Yamamoto.  J  Low  Temp  Phys,  DOI
10.1007/s10909-016-1551-7
26）Confirmation of SS=35μV/dec over 3 Decades  of Drain Current and Hole Accumulation Effect
on PN-Body  Tied SOI Super Steep SS FET’s,  Takashi Horii,  Jiro  Ida,  Takahiro Yoshida,
Masao Okihara  and Yasuo Arai. IEEE SILICON  NANOELECTRONICS  WORKSHOP  2016, June 12-13,
2016, Honolulu,  USA.

特許
1）  「半導体装置及び半導体装置の製造方法」、特願 2012-504502(2011.3/9),  特許 5721147 号 (2015.4.3 登録)、PCT/JP2011/055546(2011.3.9), US13/583,409 (02/21/2013、許可  2014.10.7、 特許証 2015.2.24)、  334PCT-US(2011/3/9)  OK-F03340-01,  2015.2.17 許可、'Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device' US8,963,246, B2 (Feb. 24, 2015), 中国許可 application No.  201180012891.7,  2015062900081170.  (2015.10.14)
2）  「半導体装置」、特願 2010-226717(2010.10.6)、特開 2012-80045(P2012-80045A)、公開日
2012.4/19、  特許第 5818238 号(2015.10.9)

学会・会議発表
1） 2015.9.18、物理学会＠関西大学、18aAD-1 3104 計数型 SOI TEG の放射光 X 線による評価、 橋本亮，岸本俊二，熊井玲児，五十嵐教之，新井康夫 A，三好敏喜 A，西村龍太郎 B、KEK 物構 研，KEK 素核研 A，総研大素 B、領域  10
2）  2015.9.18、物理学会＠関西大学、18aAD-2  185 SOI 技術を用いたインパクトイオン化イメージ ング検出器の開発、浜崎竜太郎，西村龍太郎，新井康夫 A，倉知郁生 A，三好敏喜 A，山田美帆 A，小山晃広 B，島添健次 B，他 SOIPIX グループ、総研大，KEK 素核研 A，東大工 B、領域  10
3）  2015.9.18、物理学会＠関西大学、18aAD-3  2717  積分型 SOI ピクセルディテクタによる放射光 X 線イメージングについて、西村龍太郎，新井康夫 A，三好敏喜 A，平野馨一 B，岸本俊二 B， 橋本亮 B、総研大，KEK 素核研 A，KEK 物構研 B、領域  10
4）  2015.9.25、物理学会＠大阪市立大学、25aSJ-9  1995  X 線天文用 SOI ピクセル検出器における 低ノイズ化を目指した素子内新型読み出し回路と評価、武田彩希，鶴剛，田中孝明，松村英晃， 伊藤真音，大村峻一，新井康夫 A，森浩二 B，西岡祐介 B，竹中亮太 B，幸村孝由 C，玉澤晃希 C， 吉野祐馬 C，中島真也 D，川人祥二 E，香川景一郎 E，安富啓太 E，亀濱博紀 E，Sumeet ShresthaE， 他 SOIPIX グループ、京大理，KEK 素核研 A，宮崎大工 B，東理大理工 C，JAXA/ISASD，静岡大工 E、宇宙線・宇宙物理領域
5）  2015.9.25、物理学会＠大阪市立大学、25aSN-3  2941  ILC 用バーテックス検出器に向けた SOI ピクセルセンサーの開発、小野峻，外川学，辻嶺二，花垣和則 A，新井康夫 A，他 SOIPIX グル ープ、阪大理，KEK 素核研 A  素粒子実験領域
6）  2015.9.25、物理学会＠大阪市立大学、25aSN-5  2520  2 層埋込酸化膜構造をもつ SOI ピクセル 検出器のクロストーク特性評価、関川大介，原和彦，本多俊介，浅野麻莉，飛田尚志，青柳航， スベディビピン，新井康夫 A，三好敏喜 A，倉知郁生 A，他 SOIPIX グループ、筑波大数理，KEKA 素粒子実験領域
7）  2015.9.25、物理学会＠大阪市立大学、25aSN-8 3442  ニュートリノ崩壊光探索のための SOI-STJ の研究開発 IV、八木俊輔，金信弘，武内勇司，武政健一，木内健司，笠原宏太，先崎蓮，森内 航也，美馬覚 A，新井康夫 B，倉知郁生 B，羽澄昌史 B，石野宏和 C，吉田拓生 D，広瀬龍太 D， 加藤幸弘 E，松浦周二 F，池田博一 G，和田武彦 G，長勢晃一 G，志岐成友 H，浮辺雅宏 H，藤井 剛 H，大久保雅隆 H，Erik RambergI，Mark KozlovskyI，Paul RubinovI，Dmitri SergatskovI， Soo-Bong KimJ、筑波大数理，理研 A，KEKB，岡山大 C，福井大 D，近畿大 E，関西学院大 F，JAXAG， AISTH，FermilabI，Seoul  Nat’l.  Univ.J、素粒子実験領域
8）  2015.9.27、物理学会＠大阪市立大学、27aSE-2 70052  宇宙 X 線観測用 SOI ピクセル検出器にお ける電荷収集効率の改善、松村英晃、京大理、素粒子実験領域
9）  2016.3.19、物理学会＠東北学院大学、19pAQ-7 2767  電荷積分型 SOI 二次元検出器 SOPHIAS  を 用いた X  線回折/X 線小角散乱実験の状況、橋本亮,  岸本俊二,  熊井玲児,  五十嵐教之,  新井 康夫 A,三好敏喜 A,  初井宇記 B,  工藤統吾 B、KEK 物構研,  KEK 素核研 A,  理研 B 領域
10） 2016.3.19、物理学会＠東北学院大学、19pAQ-8  1821  2 層 SOI ウエハを用いた放射線イメージ センサー三好敏喜,  新井康夫,  西村龍太郎 A,  他 SOIPIX グループ、KEK 素核研,  総研大 A  領域
11） 2016.3.19、物理学会＠東北学院大学、19pAQ-9  1763  SOI ピクセルディテクタを用いた放射光 用 X 線検出器システムについて、西村龍太郎,  新井康夫 A,  三好敏喜 A,  平野馨一 B,  岸本俊二 B,  橋本亮 B,  他 SOIPIX グループ、総研大,  KEK 素核研 A,  KEK 物構研 B 領域 10
12） 2016.3.21、物理学会＠東北学院大学、21aCA-6 2878  ニュートリノ崩壊光探索のための SOI-STJ の研究開発 V、八木俊輔,  金信弘,  武内勇司,  武政健一,  木内健司,  永田和樹,  笠原宏太,  先 崎蓮,  森内航也,  美馬覚 A,  新井康夫 B,  倉知郁生 B,  羽澄昌史 B,  石野宏和 C,  吉田拓生 D,広 瀬龍太 D,  加藤幸弘 E, 松浦周二 F,  川人祥二 G,  馬場俊祐 H, 池田博一 H, 和田武彦 H, 長勢晃 一 H, 志岐成友 I, 浮辺雅宏 I, 藤井剛 I, 大久保雅隆 I, Erik RambergJ, Paul RubinovJ, Dmitri SergatskovJ, Soo-Bong  KimK, 筑波大数理,  理研 A,  KEKB,  岡山大 C,  福井大 D,  近畿大 E, 関 西学院大 F, 静岡大 G,  JAXAH,  AISTI,FermilabJ,  Seoul  Nat’l.  Univ.K,  素粒子実験領域
13） 2016.3.21、物理学会＠東北学院大学、21pAH-7 333 ILC バーテックス検出器に向けた SOI ピク セルセンサーの開発,  小野峻,  外川学,  辻嶺二,  森哲平,  花垣和則 A,  坪山透 A,  山田美帆 A, 新井康夫 A,  他 SOIPIX グループ,  阪大理,  KEK 素核研 A  素粒子実験領域
14） 2016.3.21、物理学会＠東北学院大学、21pAH-9  389  トンネリング現象を用いた SOI  デバイス の放射線損傷回復,  山田美帆,  新井康夫,  倉知郁生,  他 SOIPIX グループ KEK 素核研素粒子実 験領域
15） 2016.3.21、物理学会＠東北学院大学、21pAH-10 1712  高エネルギー実験にむけた 2 層埋込酸化 膜構造をもつ SOI ピクセル検出器の放射線耐性評価,  関川大介,  原和彦,  浅野麻莉,  本多俊介, 飛田尚志,  遠藤駿,  青柳航,  新井康夫 A,  三好敏喜 A,  倉知郁生 A,  筑波大数理,  KEKA  素粒子 実験領域
16） 2016.3.21、物理学会＠東北学院大学、21pAH-11  2052 2 層埋込酸化膜 SOI 素子における TID 補 償の系統的評価, 青柳航, 原和彦, 本多俊介, 飛田尚志, 浅野麻莉, 関川大介, スベディ・ビ ピン,  ○新井康夫 A,  三好敏喜 A,  倉知郁生 A,  他 SOIPIX グループ,  筑波大数理, KEKA  素粒子 実験領域
17） 2016.3.21、物理学会＠東北学院大学、21pCD-6  2050  X 線天文衛星搭載を目指したイベント駆 動型 SOI ピクセル検出器の開発,  武田彩希,  鶴剛,  田中孝明,  松村英晃,  伊藤真音,  大村峻一, 新井康夫 A,  森浩二 B,  西岡祐介 B,  竹中亮太 B,  武林伸明 B,  野田向輝 B,  幸村孝由 C,  玉澤晃 希 C,  吉野祐馬 C,  小澤祐亮 C,  佐藤将 C,  中島真也 D,  川人祥二 E, 香川景一郎 E, 安富啓太 E, 亀濱博紀 E, Sumeet ShresthaE, 他 SOIPIX グループ,  京大理, KEK 素核研 A,  宮崎大工 B,  東理 大理工 C,  JAXA/ISASD, 静大工 E,  宇宙線・宇宙物理領域
18） 2016.3.22、物理学会＠東北学院大学、22pAM-1  1724  SOI プロセスを用いた高精度 PLL の開発 田内一弥,  新井康夫,  田中真伸 B,  佐々木修 B,  戸本誠 A,  堀井泰之 A,  臼井主紀 A,  小野木宏 太 A,  佐野祐太 A,  他 SOIPIX グループ,  KEK, 名大理 A,  Open-ItB  素粒子実験領域

修士論文
1.     １８）        ニュートリノ崩壊光探索のための超伝導トンネル接合光検出器及び極低温増幅器の開発研究、先﨑 蓮、筑波大学物理学専攻、2016 年 2 月
2.     筑波大学数理物質科学研究科修士論文、浅野        麻莉、高エネルギー実験のための 2 層埋込酸化 膜構造を持つ SOI ピクセル検出器の開発研究、2016 年 3 月
3.     筑波大学数理物質科学研究科修士論文、飛田        尚志、二層埋込酸化膜構造を持つ SOI ピクセル 検出器回路の放射線損傷の補償、2016 年 3 月
4.     大阪大学理学研究科、辻嶺二、SOI 技術を用いたピクセル型半導体検出器 SOFIST1 の開発，お よび SOI センサーの基礎研究、2016 年 3 月

卒業論文
1.     筑波大学理工学群物理学類卒業論文、遠藤駿、２層埋込酸化膜構造を持つ SOI ピクセル検出器 によるβ線検出、2016 年 3 月

研究会
1）  International Workshop on SOI Pixel Detector (SOIPIX2015), June 3-6, 2015 @Sendai, Japan.
2）  一般講演会 「宇宙と素粒子の謎を解き明かす最先端の３次元半導体検出器」、エルパーク仙台、 仙台。
3）  新学術研究領域研究「３次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開」第 5 回 研究会、静岡大学 浜松キャンパス S-port。

共同利用者数
24人

外部資金獲得状況
1. 科研費 新学術領域 計画研究「SOI 3次元ピクセルプロセスの研究」、54,210k円
2. 科研費 若手B、三好、2,300k円
3. 共同研究 ラピスセミコンダクタ（株）、500k円
4. 共同研究 （株）リガク、300k円

1. Search for Cosmic Background Neutrino Decay, Shin-Hong Kim*, Yuji Takeuchi, Kazuki Nagata, Kota Kasahara, Takuya Okudaira, Hirokazu Ikeda1, Shuji Matsuura1, Takehiko Wada1, Hirokazu Ishino2, Atsuko Itsuki2, Satoshi Mima3, Takuo Yoshida4, Yukihiro Kato5, Masashi Hazumi6, Yasuo Arai6, Erik Ramberg7, Jong-Hee Yoo7 and Soo-Bong Kim8, Proceedings of the 12th Asia Pacific Physics Conference, JPS Conf. Proc. 1, 013127 (2014), 10.7566/JPSCP.1.013127
2. SOI Monolithic Pixel Detector, Toshinobu Miyoshi, M.I. Ahmed, Yasuo Arai, Yowichi Fujita, Yukiko, Ikemoto, Ayaki Takeda, and Kazuya Tauchi, J. of Instrumentation, JINST_095P_1213, 2014, doi:10.1088/1748-0221/9/05/C05044.
3. Investigation of charge-collection efficiency of Kyoto׳s X-ray astronomical SOI pixel sensors, XRPIX, Hideaki Matsumura, Takeshi Go Tsuru, Takaaki Tanaka, Shinya Nakashima, Syukyo G. Ryu, Ayaki Takeda, Yasuo Arai, Toshinobu Miyoshi, NIMA, Volume 765, 21 November 2014, Pages 183-186,
4. Development and Performance of Kyoto’s X-ray Astronomical SOI pixel (SOIPIX) sensor, Takeshi G. Tsuru, Hideaki Matsumuraa, Ayaki Takedaa, Takaaki Tanakaa, Shinya Nakashimab, Yasuo Araic, Koji Morid, Ryota Takenakad, Yusuke Nishiokad, Takayoshi Kohmurae, Takaki Hatsuif,g, Takashi Kameshimag, Kyosuke Ozakif, Yoshiki Kohmuraf, Tatsuya Wagaif, Dai Takeif, Shoji Kawahitoh, Keiichiro Kagawah, Keita Yasutomih, Hiroki Kamehamah, and Sumeet Shresthah. SPIE Astronomical Telescopes+ Instrumentation 2014.6.
5. Y. Takeuchi et al., Development of Superconducting Tunnel Junction Detectors as a far-infrared single photon detector for neutrino decay search, TIPP 2014, PoS(TIPP2014)155, http://pos.sissa.it/cgi-bin/reader/conf.cgi?confid=213.
6. Development and Evaluation of an Event-Driven SOI Pixel Detector for X-Ray Astronomy, Ayaki Takeda, Takeshi Go Tsurua, Takaaki Tanakaa, Hideaki Matsumuraa,Yasuo Araib, Koji Moric, Yusuke Nishiokac, Ryota Takenakac, Takayoshi Kohmurad,Shinya Nakashimae, Shoji Kawahitof , Keiichiro Kagawaf , Keita Yasutomif ,Hiroki Kamehamaf and Sumeet Shresthaf, Technology and Instrumentation in Particle Physics 2014,2-6 June, 2014, Amsterdam, the Netherlands. PoS(TIPP2014)138, http://pos.sissa.it/
7. X-ray generation by inverse Compton scattering at the superconducting RF test facility, NIMA Volume 772, 1 February 2015, Pages 26–33, Hirotaka Shimizua, Mitsuo Akemotoa, Yasuo Araia, Sakae Arakia, Alexander Arysheva, Masafumi Fukudaa, Shigeki Fukudaa, Junji Habaa, Kazufumi Haraa, Hitoshi Hayanoa, Yasuo Higashia, Yosuke Hondaa, Teruya Honmaa, Eiji Kakoa, Yuji Kojimaa, Yoshinari Kondoa, Konstantin Lekomtseva, Toshihiro Matsumotoa, Shinichiro Michizonoa, Toshinobu Miyoshia, Hirotaka Nakaia, Hiromitsu Nakajimaa, Kota Nakanishia, Shuichi Noguchia, Toshiyuki Okugia, Masato Satoa, Mikhail Sheveleva, Toshio Shishidoa, Tateru Takenakaa, Kiyosumi Tsuchiyaa, Junji Urakawaa,doi:10.1016/j.nima.2014.10.080
8. Synthetizable digital library created to facilitate design of SOI detectors in 200 nm SOI technology, Glab, S. ; Baszczyk, M. ; Dorosz, P. ; Idzik, M. ; Kucewicz, W. ; Sapor, M. ; Arai, Y. ; Miyoshi, T. ; Kapusta, P. ; Takeda, A., Signals and Electronic Systems (ICSES), 2014 International Conference on DOI: 10.1109/ICSES.2014.6948729, Publication Year: 2014 , Page(s): 1- 4
9. Bandgap voltage reference and temperature sensor in novel SOI technology Glab, S. ; Baszczyk, M. ; Dorosz, P. ; Idzik, M. ; Kucewicz, W. ; Sapor, M. ; Arai, Y. ; Miyoshi, T. ; Kapusta, P. ; Takeda, A. Signals and Electronic Systems (ICSES), 2014 International Conference on DOI: 10.1109/ICSES.2014.6948708, Publication Year: 2014 Page(s): 1 - 4
10. Total Ionization Damage Compensations in Double Silicon-on-Insulator Pixel Sensors, Shunsuke HONDA, Kazuhiko HARA, Kohei TSUCHIDA, Mari ASANO, Naoshi TOBITA, Tatsuya MAEDA, Yasuo ARAI, Toshinobu MIYOSHI, Takeshi TSURU,Morifumi OHNO, Noriyuki MIURA, Hiroki KASAI, Masao OKIHARA, Technology and Instrumentation in Particle Physics 2014,2-6 June, 2014, Amsterdam, the Netherlands, PoS(TIPP2014)039
11. Characterization of high resolution CMOS monolithic active pixel detector in SOI technology, M.I. Ahmed, Y. Arai, S. Glab, M. Idzik, P. Kapusta, T. Miyoshi, A. Takeda and M. Turala, JINST
12. Monolithic SOI pixel detector with a wide dynamic range and a high frame rate for FEL-applications, I Peric, 2014 1748-0221 9 C05031 doi:10.1088/1748-0221/9/05/C05031.
13. Prototype pixel detector in the SOI technology,M I Ahmed, S Glab, M Idzik, P J Kapusta and M Turala, 2014 1748-0221 9 C02010 doi:10.1088/1748-0221/9/02/C02010.

1. 2014.4.13　医学物理学会、パシフィコ横浜、' Experience with SOI(Silicon on Insulator) pixel detector in proton beam field ', Hiraku Fuse1), Takeji Sakae2), Toshiyuki Terunuma2), Yasuo Arai3), Toshinobu Miyoshi3) and Tatsuya Fujisaki1), 1) Ibaraki Prefectural University of Health Science, 2) Proton Medical Research center, University of Tsukuba, 3) High energy accelerator research organization
2. 2014.9.19, 19aSB-5, X線天文用SOIピクセル検出器における電荷感応増幅型ピクセル回路の評価, 武田彩希，鶴剛，田中孝明，松村英晃，新井康夫A，森浩二B，西岡祐介B，竹中亮太B，幸村孝由C，中島真也D，川人祥二E，他SOIPIXグループ, 京大理，KEK素核研A，宮崎大工B，東理大理工C，JAXAD，静岡大工E, 宇宙線・宇宙物理領域
3. 2014.9.19, 19aSB-6, SOI技術を用いたX線天文用検出器XRPIXの電荷収集効率の調査, 松村英晃，鶴剛，田中孝明，武田彩希，新井康夫A，森浩二B，西岡祐介B，竹中亮太B，幸村孝由C，中島真也D，亀島敬E，尾崎隆吉E，香村芳樹F，武井大F，和賀井達也G, 京大理，KEK素核研A，宮崎大工B，東理大理工C，JAXAD，JASRIE，理研放射光セF，理研基盤研G, 宇宙線・宇宙物理領域
4. 2014.9.19, 19pSG-4, ニュートリノ崩壊からの遠赤外光探索のためのSOISTJ検出器の研究開発, 先崎蓮，金信弘，武内勇司，武政健一，笠原宏太，奥平琢也，市村龍哉，金丸昌弘，森内航也，佐藤広海A，美馬覚A，羽澄昌史B，新井康夫B，石野宏和C，松浦周二D，池田博一D，和田武彦D，長勢晃一E，ErikRambergF, 筑波大数理，理研A，KEKB，岡山大C，JAXAD，総研大E，FermilabF, 素粒子実験領域
5. 2014.9.21, 21aSH-1, SOI技術を用いたPPDの開発, 仁尾大資，新井康夫A 総研大/KEK，KEKA 素粒子実験領域
6. 2014.9.21, 21aSH-2, 超伝導検出器とSOI検出器を組み合わせたX線検出器の開発, 岡本晃範，石野宏和，樹林敦子，山田要介，喜田洋介，新井康夫A，羽澄昌史A，佐藤伸明A, 岡山大，KEKA 素粒子実験領域
7. 2014.9.21, 21aSH-3, ピクセル検出器の放射線損傷による回路特性の変動の評価, 飛田尚志，原和彦，本多俊介，土田晃平，浅野麻莉，前田達也，新井康夫，三好敏喜，倉知郁生，初井宇記，小林和生，工藤統語，沖原将生，三浦規之，葛西大樹，他SOIPIXグループ, 筑波大数理，KEK，理研，ラピスセミコンダクタ，ラピスセミコンダクタ宮城, 素粒子実験領域
8. 2014.9.21, 21aSH-4, 高エネルギー実験のための2層埋込酸化膜構造をもつSOIピクセル検出器の特性評価, 浅野麻莉，原和彦，本多俊介，土田晃平，飛田尚志，前田達也，新井康夫A，三好敏喜A，倉知郁生A，他SOIPIXグループ, 筑波大数理，KEKA 素粒子実験領域
9. 2014.9.21, 21aSH-5, トンネリング現象を利用したSOIデバイスの放射線損傷回復, 山田美帆，新井康夫，倉知郁生，他SOIPIXグループ,KEK,  素粒子実験領域
10. 2015.3.23, 23pDK-8, X線天文学向けイベント駆動型SOI検出器のピクセルデザインの改良と評価, 武田彩希，鶴剛，田中孝明，松村英晃，新井康夫A，三好敏喜A，森浩二B，西岡祐介B，竹中亮太B，幸村孝由C，中島真也D，川人祥二E，他SOIPIXグループ, 京大理，KEK素核研A，宮崎大工B，東理大理工C，JAXAD，静大工E, 宇宙線・宇宙物理領域
11. 2015.3.23, 23pDK-9, SOI技術を用いたX線天文用裏面照射型素子の性能評価, 松村英晃，鶴剛，田中孝明，武田彩希，大村峻一，中増勇真，新井康夫A，森浩二B，西岡祐介B，竹中亮太B，幸村孝由C，中島真也D, 京大理，KEK素核研A，宮崎大􀀁工B，東理大理工C，ISASD, 宇宙線・宇宙物理領域
12. 2015.3.24, 24aCA-13, SOI Pixel検出器を用いた低質量暗黒物質探索実験岡直哉，身内賢太朗，鶴剛A，武田彩希A，松村英晃A, 神戸大理，京大理A 実験核物理領域
13. 2015.3.24, 24aCH-5, SOI技術を用いたX線イメージセンサー開発の最近の進展, 三好敏喜，新井康夫，池上陽一，倉知郁生，田内一弥，坪山透，西村龍太郎A，浜崎竜太郎A，藤田陽一，三井真吾，山田美帆，他SOIPIXグループ, KEK素核研，総研大A 領域10
14. 2015.3.24, 24aCH-6, 大型ヘリカル装置実験用SOIピクセルディテクタ開発, 西村龍太郎，新井康夫A，三好敏喜A，武藤貞嗣B，須藤滋B，中西秀哉B，田村直樹B，伊藤康彦B，塚田究C，鶴剛D，小野靖E, 総研大，KEKA，NIFSB，名古屋工業大C，京大D，東大E, 領域10
15. 2015.3.24, 24aDF-8, SOI技術を用いた半導体光検出器の開発、浜崎竜太郎，仁尾大資，西村龍太郎，新井康夫A，倉知郁生A，三好敏喜A，三井真吾A，山田美帆A，小山晃広B，島添健次B，他SOIPIXグループ, 総研大素，高エネ研素A，東大工B, 素粒子実験領域
16. 2015.3.24, 24aDF-9, 積分型SOIピクセル検出器の性能評価、三井真吾，新井康夫，池上陽一，倉知郁生，田内一弥，坪山透，三好敏喜，山田美帆，西村龍太郎，浜崎竜太郎，原和彦A，花垣和則B，外川学B，石川明正C，他SOIPIXグループ, 高エ研/総研大，筑波大A，阪大B，東北大C 素粒子実験領域
17. 2015.3.24, 24aDF-11, 超伝導検出器とSOI検出器を組み合わせたX線検出器の開発（2）, 樹林敦子，石野宏和，岡本晃範，喜田洋介，山田要介，新井康夫A，佐藤伸明A，羽澄昌史A，藤田陽一A，川人祥二B KEK測定器開発室：超伝導検出器グループ, 岡山大理，KEKA，静岡大B, 素粒子実験領域
18. 2015.3.24, 24pDF-2, SOIピクセル検出器の放射線損傷による回路特性の変動の評価(II), 飛田尚志，原和彦，本多俊介，浅野麻莉，青柳航，新井康夫，三好敏喜，倉知郁生，沖原将生，三浦規之，葛西大樹，他SOIPIXグループ, 筑波大数理，KEK，ラピスセミコンダクタ，ラピスセミコンダクタ宮城, 素粒子実験領域
19. 2015.3.24, 24pDF-3, トンネリング現象を用いた SOI デバイスの放射線損傷回復, 山田美帆，新井康夫，倉知郁生，他 SOIPIX グループ, KEK素核研素粒子実験領域
20. 2015.3.24, 24pDF-5, 高エネルギー実験のための2層埋込酸化膜構造をもつSOIピクセル検出器の特性評価（II）, 浅野麻莉，原和彦，本多俊介，飛田尚志，関川大介，新井康夫A，三好敏喜A，倉知郁生A，他SOIPIXグループ, 筑波大数理，KEKA 素粒子実験領域
21. 2015.3.24, 24pDF-6, 2層埋込酸化膜構造をもつSOIピクセル検出器のTID放射線耐性の評価(IV), 本多俊介，原和彦，浅野麻莉，飛田尚志，青柳航，関川大介，スベディビピン，新井康夫A，三好敏喜A，他SOIPIXグループ, 筑波大数理，KEKA 素粒子実験領域

1. 科研費　新学術領域　計画研究「SOI 3次元ピクセルプロセスの研究」、45,800k円
2. 科研費　基盤B、新井（分担）、200k円
3. 科研費　若手B、三好、2,300k円
4. 共同研究 ラピスセミコンダクタ（株）、500k円
5. 共同研究 （株）リガク、300k円
6. 日米協力、4,110k円
7. JST受託研究、6,300k円

2013年度活動報告より

[Japanese]

1. 新井康夫、「素粒子実験用時間計測LSIの開発と応用」、Science & Technonews Tsukuba, No. 63, July, 2002, pp. 11-16.
2. 新井康夫、「SOI技術による一体型ピクセル検出器の開発」、高エネルギーニュース、2007年6月、第26巻1号、pp. 1-8.
3. 応用物理学会、放射線分科会会誌「放射線」、'SOI技術によるX線ピクセル検出器の開発’、新井康夫、三好敏喜、一宮亮、小貫良行, Vol. 36, No. 4, Nov. 2010,pp. 179-188.
4. 日本物理学会誌、実験技術「SOI技術を用いた放射線イメージセンサーの開発」, 2010, Vol. 65, No. 9, pp. 691-698.
5. 高輝度光子ヒーム源開発室ニュース, Vol. 6 (March 2011), 「SOI 技術を用いた新しいピクセルセンサー開発の最近の進展」、三好敏喜

1. 平成19-22年度, 科学技術振興機構　先端計測分析技術・機器開発事業（要素技術開発）, 「SOI技術による時間・空間X線イメージセンサー」
2. 平成20−21年度、日米科学技術協力事業(高エネルギー物理分野)、衝突実験用測定器の開発、「SOI技術を用いた先進的ピクセルセンサーの開発」
3. 平成18年度ー19年度、科学研究費補助金　基盤研究(A)（一般） 研究代表者　坪山透、「SOI技術を用いたピクセルセンサーの開発」
4. 平成20年度ー22年度、科学研究費補助金　基盤研究(B)（一般） 研究代表者　鶴　剛、「SOI技術による低バックグラウンド・精密分光撮像・広帯域Ｘ線ピクセル検出器の開発」
5. 平成21年度〜24年度、科研費　基盤研究（A）、「ＳＯＩ技術による高分解能・薄型ピクセル検出器の研究」、研究代表者　新井康夫。
6. 2012-2014 JST 先端計測分析技術・機器開発事業　開発成果の活用・普及促進　(SOI X線イメージ装置の活用・普及促進）
7. 2013.7-2018.3, Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Area, "Interdisciplinary research on quantum imaging opened with 3D semiconductor detector.

1. 「半導体装置及び半導体装置の製造方法」、特願2010-52173、PCT/JP2011/055546(2011.3.9), US13/583,409 (02/21/2013)
2. 「半導体装置」、特願2010-226717(2010.10.6)、特開2012-80045(P2012-80045A)、公開日2012.4/19
3. 「半導体装置」、特願2010-196075（出願日2010/09/01、特開2012-54421）
4. 「半導体装置及び半導体装置の製造方法」特願2011-208180（出願日2011/09/22）
5. 「半導体装置およびその製造方法」特願2013-4017(2013.1.11)
6. 「デジタルTDI方式検出器」、特願2012-242275 (2012.11.2)
7. 「半導体装置およびその製造方法」特願2013-79859 (2013.4.5)

1. Yuko Sekiguchi, 「放射線モニターのためのSOIピクセル検出器の開発」、Univ. of Tokyo, Feb. 2013.
2. Takao Ishibashi,「二重SOI層構造を持つ大面積電荷積分型SOIピクセル検出器の性能評価」、Univ. of Tsukuba, Feb. 2013.
3. Kohei Shisho,「高エネルギー荷電粒子検出用SOI ピクセル検出器の開発研究」、Univ. of Tsukuba、Feb. 2012.
4. Koichi Nagase, 天文観測用遠赤外線多素子画像センサーのための極低温読み出し回路開発、中間報告：読み出し回路の入力電圧不均一性評価」、Sokendai、Mar. 2012.
5. Yoshimasa Ono, 'Research and development of the PIXOR (PIXel OR) semiconductor detector for the high energy experiments based on the SOI technology', Tohoku Univ., Mar. 2012.
6. Hironori Katsurayama, 'An experimental study of track reconstruction with an integration-type SOI pixel detector using high energy beams', Tohoku Univ., Mar. 2012.
7. Jun Uchida, 「SOI技術を用いた計数型Pixel検出器の性能評価」、Osaka Univ.、Mar. 2011.
8. Shinya Nakashima, 「SOI技術を用いた広帯域X線撮像分光器「XRPIX1」の評価試験と性能向上の研究」、Kyoto Univ.、Mar. 2011.
9. Tomoko Sega, 「埋め込みp型ウェル構造をもつSOIピクセル検出器の放射線耐性の研究」、Univ. of Tsukuba、Mar. 2010.
10. Masami Kochiyama, 「TCADシミュレーションによるSOIピクセル検出器の放射線損傷評価」、Univ. of Tsukuba、Mar. 2010.
11. Yutaro Satou, 「国際リニアコライダーのための衝突点ビーム形状モニターの研究開発」、修士論文、、Tohoku Univ.、Mar. 2010.
12. Syukyo G. Ryu「SOI 技術を用いた次世代における広帯域Ｘ線撮像分光検出器の開発および評価試験」、Kyoto Univ.、Feb. 2010.
13. Yuzuru Hirose, 「SOI技術を用いた一体型Pixel検出器用読み出しシステムの開発、及び積分型Pixel検出器の性能評価」、Osaka Univ.、Feb. 2009.
14. Yuji Saegusa, 「SOI 技術を用いた半導体検出器の開発」、Tokyo Inst. of Tech.、Feb. 2008.
15. Ai Mochizuki, 「Silicon-On-Insulator技術を用いた読出し回路一体型シリコンピクセル検出器の開発研究」、Univ. of Tsukuba, Mar. 2008.

"Development of Low Power Cryogenic Readout Integrated Circuits Using
Fully-Depleted-Silicon-on-Insulator CMOS Technology for Far-Infrared Image Sensors", T. Wada, H.
Nagata, H. Ikeda, Y. Arai, M. Ohno and K. Nagase,Journal of Low Temperature Physics, Publisher:
Springer Netherlands, Issn: 0022-2291",2012,"DOI: 10.1007/s10909-012-0461-6,
http://www.springerlink.com/content/j7306844556t5397/,
"Design and Evaluation of a SOI Pixel Sensor for X-ray Trigger-driven Readout", Ayaki Takeda, Yasuo
Arai, Syukyo Gando Ryu, Shinya Nakashima, Takeshi Go Tsuru,Toshifumi Imamura, Takafumi Ohmoto,
and Atsushi Iwata, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, VOL PP,Issue 99, 2013. Digital
Object Identifier: 10.1109/TNS.2012.2225072.
"Tests With Soft X-rays of an Improved Monolithic SOI Active Pixel Sensor", Ryu, S. G.; Tsuru, T. G.;
Prigozhin, G.; Kissel, S.; Bautz, M.; LaMarr, B.; Nakashima, S.; Foster, R. F.; Takeda, A.; Arai, Y.;
Imamura, T.; Ohmoto, T.; Iwata, A. Nuclear Science, IEEE Transactions on Volume:60, Issue: 1, Part:
2,Digital Object Identifier: 10.1109/TNS.2012.2231880, Publication Year: 2013 , Page(s): 465 - 469

国際会議発表
"Progress of SOI Pixel Process”, Y. Arai, International Workshop on Semiconductor Pixel Detectors for Particles and Imaging, September 3 – 7, 2012 in Inawashiro, Japan, Invited Talk.
"High-Resolution Monolithic Pixel Detectors in SOI Technology", Oral, T. MIYOSHI, Y. ARAI, I. M. AHMED, P. KAPUSTA, R. ICHIMIYA, Y. IKEMOTO, Y. FUJITA, K. TAUCHI, A. TAKEDA, International Workshop on Semiconductor Pixel Detectors for Particles and Imaging (PIXEL2012), Inawashiro, Japan.
"High Resolution X-ray Imaging Sensor with SOI Technology", poster, A. TAKEDA, Y. ARAI, T. MIYOSHI, M. OKIHARA, H. KASAI, N. MIURA, N. KURIYAMA, Y. NAGATOMO, International Workshop on Semiconductor Pixel Detectors for Particles and Imaging (PIXEL2012), Inawashiro, Japan.
"X-Ray Detection Using SOI Monolithic Sensors at a Compact High-Brightness X-Ray Source Based on Inverse Compton Scattering", Oral, T. Miyoshi, Y. Arai, M. Fukuda, J. Haba, H. Hayano, Y. Honda, K. Sakaue, H. Shimizu, A. Takeda, J. Urakawa, K. Watanabe, 2012 IEEE Nuclear Science Symposium, Anaheim, CA, USA. Nov. 2012.
"Monolithic pixel detectors with 0.2 um FD-SOI pixel process technology", Oral, T. MIYOSHI, Y. ARAI, Y. IKEMOTO,Y. UNNO, Y. IKEGAMI, R. ICHIMIYA, Y. FUJITA, K. TAUCHI, T. TSUBOYAMA, A. TAKEDA, T. TSURU, S. NAKASHIMA, G. S. RYU, T. KOHRIKI, 13th Vienna Conference on Instrumentation (VCI2013), Vienna, Austria.

国内学会発表
2012年９月１１日、京都産業大学、日本物理学会秋季大会、11aSH-1、 高エネルギー加速器実験に向けたSOI検出器：PIXORの全体動作確認試験、篠田直幸，小野善将，石川明正，山本均，新井康夫A，坪山透A，小貫良行B，今村俊文C，岩田穆C，大本貴文C，他SOIPIXグループ、東北大，高エネ研A，東大B，A-R-TecC 素粒子実験領域
2012年９月１１日、京都産業大学、日本物理学会秋季大会、11aSH-2、 アバランシェフォトダイオードを集積したSOI Pixel型検出器の開発、仁尾大資，新井康夫A KEK総研大，KEKA、素粒子実験領域
2012年９月12日、京都産業大学、日本物理学会秋季大会、12pSG-1、 計数型SOIPIX検出器の開発、一宮亮，新井康夫，三好敏喜、KEK 素核研素粒子実験領域
2012年９月12日、京都産業大学、日本物理学会秋季大会、12pSG-2、環境放射線センサーのためのSOIピクセル検出器の開発、関口裕子，浜垣秀樹，郡司卓，新井康夫A，一宮亮A，大本貴文B，今村俊文B，岩田穆B、東大CNS，KEKA，A-R-Tec Corp.B、 素粒子実験領域
2012年９月13日、京都産業大学、日本物理学会秋季大会、13aSK-9、高エネルギー実験のためのSOI技術を用いたPIXOR(Pixel OR)半導体検出器の研究開発、小野善将 東北大院理 素粒子実験領域
2012年９月14日、京都産業大学、日本物理学会秋季大会、14aSP-14、X線天文学向け積分型SOIピクセル検出器の開発II 武田彩希，新井康夫A，三好敏喜A，鶴剛B，劉周強B，中島真也B，他SOIPIXグループ、KEK総研大，KEK素核研A，京大理B 宇宙線宇宙物理領域
2012年９月18日、横浜国立大学、日本物理学会秋季大会、18pAG-10、SOI技術による高精細X線イメージセンサーの開発、三好敏喜，新井康夫，池本由希子，一宮亮，田内一弥，武田彩希A，藤田陽一，他SOIPIXグループ、KEK素核研，KEK総研大A、 領域10
2013年３月22日、名古屋大学、電気学会、3-S25-2「SOI技術による１チップ放射線イメージセンサーの開発」、’放射線計測とそのネットワーク化の取り組み’シンポジウム、新井康夫。
2013年3月26日、広島大学、日本物理学会年次大会、26aRF-1、Bell II実験にむけたSOI検出器：PIXORの全体動作確認試験、篠田直幸，小野善将，石川明正，山本均，新井康夫A，坪山透A，今村俊文B，岩田穆B，大本貴文B，小貫良行C、東北大，高エネ研A，A-R-TecB，東大C、素粒子実験領域
2013年3月26日、広島大学、日本物理学会年次大会、26aRF-8、半導体シミュレータを使ったDouble SOI検出器開発に向けた研究、池本由希子，新井康夫，その他SOIPIXグループKEK素核研素粒子実験領域
2013年3月26日、広島大学、日本物理学会年次大会、26aRF-9、2層埋込酸化膜構造をもつSOIピクセル検出器のTID放射線耐性の評価、本多俊介，原和彦，石橋貴生，新井康夫A，三好敏喜A，大野守史B，鶴剛C，初井宇記D，沖原将生E，三浦規之F，葛西大樹F，他SOIPIXグループ、筑波大数理，KEKA，AISTB，京大C，理研D，ラピスセミコンダクタE，ラピスセミコンダクタ宮城F、素粒子実験領域
2013年3月27日、広島大学、日本物理学会年次大会、27pBE-8、X線天文学向けSOIピクセル検出器の性能評価、武田彩希，新井康夫A，三好敏喜A，中島真也B，劉周強B，鶴剛B，田中孝明B，他SOIピクセルグループ、KEK総研大，KEK素核研A，京大B 宇宙線・宇宙物理領域
2013年3月27日、広島大学、日本物理学会年次大会、27pHD-10、SOIピクセル技術を用いた環境放射線モニターの基本動作評価、関口裕子，浜垣秀樹，郡司卓，新井康夫A，今村俊文B，大本貴文B，岩田穆B、東大理，KEKA，A-R-Tec Corp.B 実験核物理領域
2013年3月27日、広島大学、日本物理学会年次大会、27pHD-14、FZおよび2重SOIウエハを用いた放射線ピクセル検出器の特性評価、三好敏喜，新井康夫，池本由希子，武田彩希A，他SOIPIXグループ、KEK素核研，総研大A 実験核物理領域
2013年3月27日、広島大学、日本物理学会年次大会、27pHD-15、SOI技術を用いた大面積積分型ピクセルセンサーの基礎特性評価、石橋貴生A，三好敏喜，新井康夫，池本由希子，一宮亮，武田彩希B，原和彦A，本多俊介A 他SOIPIXグループ、KEK素核研，筑波大数理A，総研大B 実験核物理領域
2013年3月29日、広島大学、日本物理学会年次大会、素粒子実験領域、実験核物理領域、宇宙線・宇宙物理領域、ビーム物理領域、領域２ 合同シンポジウム「ピクセルセンサー技術で拡がる科学者の視野」29aHF-１、はじめに、新井康夫、KEK素核研。
2013年3月29日、広島大学、日本物理学会年次大会、29aHF-5、SOIピクセル検出器の開発、初井宇記、理化学研究所、素粒子実験領域、実験核物理領域、宇宙線・宇宙物理領域、ビーム物理領域、領域２ 合同シンポジウム「ピクセルセンサー技術で拡がる科学者の視野」。

修士論文
「二重SOI層構造を持つ大面積電荷積分型SOIピクセル検出器の性能評価」、筑波大学大学院博士前期課程、数理物質科学研究科修士論文、石橋貴生、２０１３年２月
「放射線モニターのためのSOIピクセル検出器の開発」、東京大学博士前期課程、物理学専攻、関口裕子、２０１３年２月。

"Performance study of SOI monolithic pixel detectors for X-ray application", T. Miyoshi, Y. Arai, M. Hirose, R. Ichimiya, Y. Ikemoto, T. Kohriki, T. Tsuboyama, Y. Unno, 7th International "Hiroshima" Symposium on Development and Applications of Semiconductor Tracking Devices, International Conference Center Hiroshima, Japan, Aug. 29-Sep.1, 2009, Nucl. Instr. and Meth. A(2010), doi:10.1016/j.nima.2010.04.117, Vol. 636 (2011)pp. S237-S241.
"Radiation effects in silicon-on-insulator transistors with back-gate control method fabricated with OKI Semiconductor 0.20 μm FD-SOI technology",M. Kochiyama, T. Sega, K. Hara, Y. Arai, T. Miyoshi, Y. Ikegami, S. Terada, Y. Unno, K. Fukuda, M. Okihara, Nucl. Instr. and Meth. A(2010), doi:10.1016/j.nima.2010.04.086, Volume 636, Issue 1, Supplement, 21 April 2011, Pages S62-S67.
"First Performance Evaluation of an X-Ray SOI Pixel Sensor for Imaging Spectroscopy and Intra-Pixel Trigger",Syukyo Gando Ryu, Takeshi Go Tsuru, Shinya Nakashima, Ayaki Takeda,Yasuo Arai, Toshinobu Miyoshi, Ryo Ichimiya, Yukiko Ikemoto, Hironori, Matsumoto, Toshifumi Imamura, Takafumi Ohmoto, and Atsushi Iwata, Department of Physics, Graduate School of Science, Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto, Japan, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 58, No. 5, Oct. 2011, pp. 2528-2536, ISSN: 0018-9499, Digital Object Identifier: 10.1109/TNS.2011.2160970, Date of Publication: 04 8 2011,
"Development of Cryogenic Readout Electronics for Far-Infrared Astronomical Focal Plane Array", Hirohisa NAGATA, Takehiko WADA, Hirokazu IKEDA, Yasuo ARAI, Morifumi OHNO, Koichi NAGASE, IEICE TRANSACTIONS on Communications, Volume E94-B No.11 (Publication Date:2011/11/01)
"SOI Pixel Technology",Y. Arai, The 8th international "Hiroshima" Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Detectors (HSTD-8) , Dec. 5-8, 2011, Taipei,",2011,, 招待講演。
"Development of Low Power Cryogenic Readout Integrated Circuits Using Fully-Depleted-Silicon-on-Insulator CMOS Technology for Far-Infrared Image Sensors", T. Wada, H. Nagata, H. Ikeda, Y. Arai, M. Ohno and K. Nagase,Journal of Low Temperature Physics, Publisher: Springer Netherlands, Issn: 0022-2291",2012,"DOI: 10.1007/s10909-012-0461-6, http://www.springerlink.com/content/j7306844556t5397/,
"Development of an SOI analog front-end ASIC for X-ray charge coupled devices", Tetsuichi Kishishita, Goro Sato, Hirokazu Ikeda, Motohide Kokubun, Tadayuki Takahashi, Toshihiro Idehara, Hiroshi Tsunemi, Yasuo Arai, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Volume 636, Issue 1, Supplement, 21 April 2011, Pages S143-S148.

2009年までの成果報告より
投稿論文
主な投稿論文を以下に示す。
1） "Hard X-Ray SOI Sensor Prototype", E. Martin, G. Varner, M. Barbero, J. Kennedy, H. Tajima, Y. Arai, IEEE Ph. D. Research in Microelectronics and Electronics, 11 - 16 June 2006, Otranto (Lecce), Italy
2） "First Results of 0.15um CMOS SOI Pixel Detector", Y. Arai, M. Hazumi, Y. Ikegami, T. Kohriki, O. Tajima, S. Terada, T. Tsuboyama, Y. Unno, H. Ushiroda, H. Ikeda, K. Hara, H. Ishino, T.Kawasaki, E. Martin, G. Varner, H. Tajima, M. Ohno, K. Fukuda, H. Komatsubara, J. Ida, SNIC Symposium, Stanford, California, 3-6 April 2006, SLAC-PUB-12079, KEK preprint, 2006-34, SLAC Electronic Conference Proceedings Archive (SLAC-R-842, eConf: C0604032) PSN-0016.
http://www.slac.stanford.edu/econf/C0604032/papers/0016.PDF.
3） "Monolithic Pixel Detector in a 0.15m FD-SOI Technology", Y. Arai, presented at the 6th Hiroshima symposium of Development and Application of semiconductor tracking devices, Sep. 11-15, 2006, Carmel, California, U.S.A.
4） "Development of a CMOS SOI Pixel Detector", Y. Arai, M. Hazumi, Y. Ikegami, T. Kohriki, O.Tajima, S. Terada T. Tsuboyama, Y. Unno, Y. Ushiroda, H. Ikeda, K. Hara, H. Ishino, T. Kawasaki, H. Miyake, E. Martin, G. Varner, H. Tajima M. Ohno, K. Fukuda, H. Komatsubara, J. Ida, Proceedings of 12th Workshop on Electronics for LHC and Future Experiments (LECC 2006), 25-29 September 2006, Valencia SPAIN.
5） "Monolithic Pixel Detector in a 0.15um SOI Technology", Y. Arai, M. Hazumi, Y. Ikegami, T.Kohriki, O. Tajima, S. Terada, T. Tsuboyama, Y. Unno, H. Ushiroda, H. Ikeda, K. Hara, H. Ishino, T. Kawasaki, E. Martin, G. Varner, H. Tajima, M. Ohno, K. Fukuda, H. Komatsubara, J. Ida, H. Hayashi, IEEE Nuclear Sci. Symposium, San Diego, Oct. 29 - Nov. 4, 2006, Conference Record, Vol. 3, Oct. 2006 Page(s):1440 - 1444, Digital Object Identifier 10.1109/NSSMIC.2006.354171.
6） "Evaluation of OKI SOI Technology" presented at the 6th Hiroshima symposium of Development and Application of semiconductor tracking devices, Sep. 11-15, 2006,
Carmel, California, U.S.A., Y. Ikegami, Y. Arai, K. Hara, M. Hazumi, H. Ikeda, H. Ishino, T. Kohriki, H. Miyake, A. Mochizuki, S. Terada, et al., Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, Volume 579, Issue 2, 1 September 2007, Pages 706-711
7） "R&D of a monolithic pixel sensor based on 0.15 m fully depleted SOI technology", Toru Tsuboyama, Yasuo Arai, Koichi Fukuda, Kazuhiko Hara, Hirokazu Hayashi, Masashi Hazumi, Jiro Ida, Hirokazu Ikeda, Yoichi Ikegami, Hirokazu Ishino, Takeo Kawasaki, Takashi Kohriki, Hirotaka Komatsubara, Elena Martin, Hideki Miyake, Ai Mochizuki, Morifumi Ohno, Yuuji Saegusa, Hiro Tajima, Osamu Tajima, Tomiaki Takahashi, Susumu Terada, Yoshinobu Unno, Yutaka Ushiroda and Gary Varner, Nucl. Instr. and Meth A. Volume 582, Issue 3, 1 Dec. 2007, pp. 861-865, http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2007.07.130
The 11th Vienna Conference on Instrumentation, Vienna, Austria Feb. 19-24, 2007.
8） "Deep sub-micron FD-SOI for front-end application", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A, Volume 579, Issue 2, 1 September 2007, Pages 701-705, H. Ikeda, Y. Arai, K. Hara, H. Hayakawa, K. Hirose, Y. Ikegami, H. Ishino, Y. Kasaba, T. Kawasaki, T. Kohriki, et al. Proceedings of the 11th Symposium on Radiation Measurements and Applications (SORMA XI): Ann Arbor, MI, USA, May 23–26, 2006
9） "Electronics and Sensor Study with the OKI SOI process", Y. Arai, Topical Workshop on Electronics for Particle Physics (TWEPP-07), 3-7 Sep. 2007, Prague, Czech Republic. CERN-2007-007, pp. 57-63.
10） "SOI Monolithic Pixel Detector R&D in a 0.15 m SOI Technology", Y. Arai, Y. Ikegami, Y. Unno,T. Tsuboyama, S. Terada, M. Hazumi, T. Kohriki, H. Ikeda, K. Hara, H. Ishino, H. Miyake, K.Hanagaki, G. Varner, E. Martin, H. Tajima, Y. Hayashi, M. Ohno, K. Fukuda, H. Komatsubara,J. Ida. 16th International Workshop on Vertex detectors, September 23-28, 2007, LakePlacid, NY, USA, Vertex 2007, Poster Presentation.
11） "SOI Pixel Developments in a 0.15m Technology”, Y. Arai, Y. Ikegami, Y. Unno, T. Tsuboyama, S. Terada, M. Hazumi, T. Kohriki, H. Ikeda, K. Hara, H. Miyake, H. Ishino, G. Varner, E. Martin, H. Tajima, M. Ohno, K. Fukuda, H. Komatsubara, J. Ida, H. Hayashi, Y. Kawai, 2007 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record, N20-2, pp. 1040-1046.
12） "Total Dose Effects on 0.15m FD-SOI CMOS Transistors”, Y. Ikegami, Y. Arai, K. Hara, M. Hazumi, H. Ikeda, H. Ishino, T. Kohriki, H. Miyake, A. Mochizuki, S. Terada, T.Tsuboyama and Y. Unno, 2007 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record, N44-6, pp. 2173-2177.
13） “A monolithic pixel sensor in fully depleted SOI technology”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Volume 583, Issues 2-3, 21 December 2007, Pages 526-528. Marco Battaglia, Dario Bisello, Devis Contarato, Peter Denes, Piero Giubilato, Lindsay Glesener, Chinh Vu.
14） N04-5 ‘Radiation Resistance of SOI Pixel Sensors Fabricated with OKI 0.15m FD-SOI Technology’, K. Hara, M. Kochiyama, A. Mochizuki, T. Sega, Y. Arai, K. Fukuda, H. Hayashi, M. Hazumi, J. Ida, H. Ikeda, Y. Ikegami, H. Ishino, Y. Kawai, T. Kohriki, H. Komatsubara, H. Miyake, M. Ohno, M. Okihara, S. Terada, T. Tsuboyama, Y. Unno, Nuclear Science Symposium Conference Record, 2008. NSS '08. IEEE, 19-25 Oct. 2008 Page(s):1369 – 1374, Digital Object Identifier 10.1109/NSSMIC.2008.4774670
15） “Waveform Observation of Digital Single-Event Transients Employing Monitoring
Transistor Technique”, Daisuke Kobayashi, Kazuyuki Hirose, Yoshimitsu Yanagawa,
Hirokazu Ikeda, Hirobumi Saito, V´eronique Ferlet-Cavrois, Dale McMorrow, Marc Gaillardin, Philippe Paillet, Yasuo Arai, and Morifumi Ohno, IEEE Trans. Nucl. Sci., Volume 55, Issue 6, Part 1, Dec. 2008 Page(s):2872 – 2879, Digital Object Identifier 10.1109/TNS.2008.2006836
16） D. Kobayashi, K. Hirose, V. Ferlet-Cavrois, D. McMorrow, M. Gaillardin, T. Makino, H. Ikeda, Y. Arai, and M. Ohno, ”Device-physics-based analytical model for single event transients in SOI CMOS logics”, 2009 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC), Quebec, Canada, July 20--24, 2009, accepted for platform presentation, paper A-2.
17） 新井康夫、「SOI 技術による一体型ピクセル検出器の開発」、高エネルギーニュース、2007 年6 月、第26 巻1 号、pp. 1-8.
18） 2008.9 （株）TCAD インターナショナル「TCAD のSOI ピクセル検出器開発への応用、～放射線センサーとLSI の融合に向けて～」、
http://www.tcad-international.com/user_case/user_case01.html
19） 2008.9.25 KEK ニュース「超小型の放射線イメージセンサー、〜 絶縁技術で放射線検出器を作る 〜」、http://www.kek.jp/newskek/2008/sepoct/SOI.html

国際学会、国内学会発表状況
これまでに学会等で発表した状況を以下に示す。
1） IEEE Nucl. Sci. Symp., Oct. 2008, Poster R12-58, ‘Development of Silicon-on-Insulator Sensor for X-Ray Free-Electron Laser Applications’, T. Kudo, T. Hatsui, Y. Arai, Y. Ikegami, Y. Unno, T. Tsuboyama, S. Terada, M. Hazumi, T. Kohriki, H. Ikeda, K. Hara, A. Mochizuki, H. Miyake, H. Ishino, Y. Saegusa, S. Ono, M. Ohno, K. Fukuda, H. Komatsubara, J. Ida, H. Hayashi, Y. Kawai, M. Okihara, T. Ishikawa.
2） 2006 年3 月27 日、日本物理学会第61 回年次大会（愛媛大学）、SOI 技術によるPixel 検出器の開発、新井康夫、他SOIPIX グループ。
3） 2006 年10 月31 日、日本物理学会2006 年秋季大会（ハワイ）Joint Meeting of Pacific RegionParticle Physics Comunities、"SOI pixel technology and Study on its radiation hardness",ISHINO, Hirokazu.
4） 2006 年10 月31 日、日本物理学会2006 年秋季大会（ハワイ）Joint Meeting of Pacific RegionParticle Physics Comunities、"Performance test of the SOI pixel detector", MIYAKE, Hideki
5） 2006 年10 月31 日、日本物理学会2006 年秋季大会（ハワイ）Joint Meeting of Pacific RegionParticle Physics Comunities、"TCAD Simulation for SOI Pixel detectors", HAZUMI, Masashi
6） 2007 年9 月22 日、日本物理学会第62 回年次大会（北海道大学）、SOI 技術を用いたpixel 検出器の開発(1)（レーザー・放射線源を使用した実験評価）、小野峻、他SOIPIX グループ。
7） 2007 年9 月22 日、日本物理学会第62 回年次大会（北海道大学）、SOI ピクセル検出器開発 2「TCADシミュレーションを用いたSOI ピクセル検出器の性能評価」、三枝裕司、他SOIPIX グループ。
8） 2007 年9 月22 日、日本物理学会第62 回年次大会（北海道大学）、SOI 技術を用いたmonolithic　pixel 検出器の開発(3)（陽子線照射実験）、望月亜衣、他SOIPIX グループ。
9） 2008 年３月26 日、日本物理学会第63 回年次大会（近畿大学）、“SOI 技術を用いたmonolithic　pixel 検出器の開発（γ線照射実験）”、望月亜衣、他SOIPIX グループ。
10） 2008 年３月26 日、日本物理学会第63 回年次大会（近畿大学）、“SOI 技術を用いたpixel 検出器の開発（放射線検出による実験評価）”、小野峻，、他SOIPIX グループ。
11） 2008 年９月２1 日、日本物理学会秋季大会（岩手大学）、“SOI 技術を用いた新しいX 線イメージセンサーの開発”、三好敏喜、他SOIPIX グループ。
12） 2008 年９月２３日、日本物理学会秋季大会（山形大学）、“SOI pixel 検出器におけるセンサー及び回路開発”, 池本由希子、他SOIPIX グループ。
13） 2008 年９月２３日、日本物理学会秋季大会（山形大学）、“SiTCP 技術を用いたSOI pixel 検出器読み出しシステムの開発”、廣瀬穣、他SOIPIX グループ。
14） 2008 年９月２３日、日本物理学会秋季大会（山形大学）、“SOI 技術を用いたpixel 検出器の開発（放射線損傷試験）”瀬賀智子、他SOIPIX グループ。
15） 2009 年3 月27 日、日本物理学会第64 回年次大会（立教大学）、“SOI pixel 検出器におけるセンサー及び回路開発”, 池本由希子、 他SOIPIX グループ、素粒子実験領域.
16） 2009 年3 月27 日、日本物理学会第64 回年次大会（立教大学）、“SOI pixel 検出器用DAQ システムの開発，及び性能試験”, 廣瀬穣、 他SOIPIX グループ、素粒子実験領域.
17） 2009 年3 月27 日、日本物理学会第64 回年次大会（立教大学）、 “SOI 技術を用いた読みだし一体型ピクセル検出器の開発（ENEXSS を用いた放射線損傷シュミレーション）”, 河内山真美、 他　SOIPIX グループ、素粒子実験領域.
18） 2009 年3 月28 日、日本物理学会第64 回年次大会（立教大学）、 “X 線CCD の多数読み出しのためのFD-SOI を利用したASIC の開発”, 出原寿紘、 他SOIPIX グループ、宇宙線・宇宙物理領域.
19） 2009 年3 月28 日、日本物理学会第64 回年次大会（立教大学）、28pRE-7, “SOI 技術を用いた新しいX 線イメージセンサーの開発II”, 三好敏喜、 他SOIPIX グループ、 領域10.

外部資金獲得状況
現在までに獲得した外部資金の状況を以下に示す。
１ ） 平成19-22年度, 科学技術振興機構 先端計測分析技術・機器開発事業（ 要素技術開発）,「SOI技術による時間・空間X線イメージセンサー」
２ ） 平成20−21年度、日米科学技術協力事業(高エネルギー物理分野)、衝突実験用測定器の開発、「SOI技術を用いた先進的ピクセルセンサーの開発」
３ ） 平成18年度ー19年度、科学研究費補助金 基盤研究(A)（ 一般） 研究代表者 坪山透、「SOI技術を用いたピクセルセンサーの開発」
４ ） 平成20年度ー22年度、科学研究費補助金 基盤研究(B)（ 一般） 研究代表者 鶴 剛、「SOI技術による低バックグラウンド・精密分光撮像・広帯域Ｘ 線ピクセル検出器の開発」
５ ） 平成21年度〜24年度、科研費 基盤研究（ A）、「Ｓ Ｏ Ｉ 技術による高分解能・薄型ピクセル検出器の研究」、研究代表者 新井康夫。