SOI量子イメージセンサ・コンソーシアム

設立目的

半導体を用いた量子(赤外線、可視光、X線、ガンマ線、電子、荷電粒子、イオン、中性子等)イメージセンサは、科学実験及び産業界において今後ますます重要になる。こうした中でSilicon-On-Insulator (SOI)技術は、独立なシリコン層を2つ持ち、センサと読み出し回路を一体化した量子イメージセンサとして最適な構造を持っている。また、SOI回路は極低温でも動作する事から超電導デバイスとの相性が良く、低消費電力回路に向いている事からIoTデバイスとしても有望である。これらの事から、SOIセンサの応用は今後ますます広がる事が期待される。

一方、半導体設計技術はますます高度化し、開発には多額の費用と時間がかかる。このため、独自のセンサ開発が行える計測器メーカは限られ、アイデアがあっても実現する機会が限られてしまうことがある。また科学分野においても、開発予算・設計能力が限られるため、分野を超えた協力が必要とされている。これらの解決のためには、一致協力して開発環境・設計技術の整備を行う事と、担い手となる若手の技術者・研究者の育成とが重要である。

このコンソーシアムは、2013〜2017年度科研費・新学術領域研究「3次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開」に参加した研究者及びその成果を元に、アカデミックと産業界の交流を行う場を設け、SOI量子イメージングセンサの一層の発展を図ることを目的とする。

活動計画案

  • 研究会開催による技術・人事交流
  • 産学公連携の共同開発研究の推進
  • センサ構造、回路設計に関わる情報及び測定装置等の相互利用
  • 半導体プロセスを共同で行うMulti Project Wafer (MPW)ランの企画
  • 若手技術者・研究者の育成のための講習会等の開催
  • コンソーシアムを核とした公的資金の獲得
  • 半導体量子イメージセンサの広報活動
  • その他、コンソーシアムの目的に沿った活動

Last modified: 2019.5.2

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