関連するお知らせ 

 

★2160809
測定器開発室関連の会議情報
2016/
10/29-11/6
IEEE at Strasburg
2017/
1/16 - 18
AFAD at Lanzhou
2017/
2/27-3/4
INSTR2017 at Novosibirsk
2017/
5/9-12
TYL workshop at Strasburg(期間中の2日間)
2017/
5/22-26
TIPP2017 at Beijing (not IHEP)

★20160711
平成 28 年度 SOI ピクセル検出器設計講習会
場所: KEK先端計測開発棟208号室
日程: 2016年8月29日ー31日
対象: MPWラン参加予定者
定員: 10 名程度
<講習会案内>
http://soipix.jp/219.html
<講習会予定>
- 回路設計と検証
- プロセスとレイアウト設計
本年度は中級編

★20160511
第31回 高速度イメージングとフォトニクスに関する国際会議
November 7-10, 2016
Osaka, Japan
31st International Congress on High-Speed Imaging and Photonics(31st ICHSIP)


2016年優秀修士論文賞2編が
決定しました。 受賞されたお二人には心よりお祝いを申し上げます。

「時間反転対称性の破れの探索に向けたルビジウム磁力計の研究」
内山 愛子(東北大学)

「KOTO実験におけるビーム外縁部を覆う中性子低感度な光子検出器の開発と性能評価」
篠原 智史(京都大学)


秋の物理学会で表彰式と
招待記念講演会を開催します。

詳細はこちらから

 

これまでの情報
Topics

 

 

 

 

最新活動報告 これまでの報告  

2016年7月

多様な分野での開発と実用化研究が進む SOIピクセルプロジェクトであるが、その新学術領域に参加する全国の開発チームの研究会が、6月28-29日の二日間北海道大学で開催された。50名が参加する研究会では、4年目にあたるこの新学術領域で結実しつつある多くの成果が示された。ここではその中からいくつかの話題を紹介する。 

放射線耐性の向上
すでに報告をしてきたように昨年度よりSOIピクセルセンサーの放射線耐性については、幾つかの開発研究が実を結んだ。一つはSOI層を2重としたwafer(Double SOI:DSOI)を製造しその第2層を放射線効果の補償電圧印加部として活用することで、すでにデバイスレベルでその有効性が確かめられていた。二つ目はMOSトランジスタの電極構造の不純物濃度に関する最適化で、これも大きな向上効果がすでに確かめられてきた。こうした知見をもとに試作されたピクセルセンサーに実際に放射線を照射し、筑波大においてその動作試験が精力的に行われている。図1は200kGyのガンマ線(Belle-IIの6年間の運転による線量に相当)を照射したセンサーの、赤外線レーザーに対するレスポンスを照射前と比較したものである。耐性を向上させた新しい試作チップでは、照射後も空乏層が完全に広がるところまで、レーザー光を検知できていることが示されている。 
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セミナー案内 (詳細)

 


これまでの講演データ

Our Projects
現在進行中のプロジェクト
MPGD | PPD | SCD | SOI |
Liq.TPC Ar , Xe |
ASIC | FSCI |
CO2冷却システム

これまでのプロジェクト
DAQFPIX

ユーザーと分野

測定器開発室のプロジェクトに参加するユーザーは国内外でおよそ230人で、活発に研究活動を行っています。

statistics

Fig. 1 プロジェクトと共同研究者数
(2015年度)

これまでの報告書

2015年度研究成果報告
659kb pdf
2014年度研究成果報告
794kb pdf
○2013年度レビュー委員会(2013.12.10) 活動報告 7Mb pdf

Last modified: 08/09/2016
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